西安电子科技大学2013年度研究生学术年会

瑞典林雪平大学倪卫新教授应邀来我校讲学访问

时间:2013-12-09 12:06来源:未知 点击:
      (通讯员 程珺)应副校长郝跃教授的邀请,瑞典林雪平大学(Linköpings Universitet,LiU)倪卫新教授于12月2日至4日来我校讲学访问。
      12月4日,郝跃副校长会见了倪卫新教授,对倪教授的到访表示热烈欢迎,对倪教授在半导体物理学领域的学术成就给予高度评价,双方一直认为加强合作交流对于双方的学科建设及科学研究发展都有着十分重要的意义。校长助理高新波教授、微电子学院、国际合作与交流处、人事处的相关负责人以及宽带隙半导体技术国家重点实验室的教授等参加了会见和座谈。据悉,倪教授将作为我校“千人计划”特聘专家引进。
       访问期间,倪卫新教授参观了宽带隙半导体技术国家重点实验室,对实验室的建设及所取得成绩给予了高度评价,双方就本领域技术研究等方面进行了深入研讨。
       倪卫新教授还在北校区教学楼J112报告厅作了题为“More than Moore -the next leap of the chip technology(超摩尔时代-芯片技术的下一个飞跃)”的学术报告。倪教授从摩尔定律说起,以时间进程为线索说明随着Si器件尺寸的不断缩小,器件和系统性能提高的同时所面临的各种问题,从而导致双栅、FINFET等新型器件的产生。除了新结构,新材料的应用也成为了必然。倪教授通过其深入浅出的演讲向在座的各位灌输了这样的理念:微电子产业的发展是极具生命力的,任何的努力都不会白费,一次偶然的失败也许同时意味着一个重大的发现,他鼓励大家要勤动脑,敢创新。倪教授的报告开拓了师生们的学术视野,增强了学术研究氛围。
       报告会由微电子学院副院长张玉明教授主持,微电子学院及先进材料与纳米科技学院的300余名师生聆听了报告。此次报告会为微电子学院2013年研究生学术年会邀请报告之一。
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      倪卫新博士,瑞典林雪平大学表面及半导体物理学教授,负责LiU的材料科学与纳米技术硕士学程(MSN)。2004年获台基电(TSMC)杰出教授称号及奖金;2004-2008年期间受聘于台湾研究院(NARL),任副院长及纳米元件实验室(NDL)主任。
      倪教授一直专注于硅基异质结构材料和元件应用方面的研究,1987在研究生工作期间即在Linköping与美国IBM和Bell实验室同期制成了世界最早的硅锗异质结晶体管(SiGe-HBT),其对硅基异质结构材料成长和能带结构的论文曾入选美国电化学学会和材料科学学会的研究生奖。倪教授发表了逾250篇学术论文,其中120余篇在Physical Review和Applied Physics letters等主导刊物上发表,及多章学术专著,数十次在重要国际学术会议上作特邀报告。曾是国际半导体产业蓝图(ITRS roadmap)“前瞻性元件与材料”章节组成员,IEEE Transaction on Nanotechnology编委,欧洲多个国家及台湾国科会的研究计划评审委员,台湾纳米研究计划第二期六个分项策划组负责人之一。曾多次担任领域主要国际会议主席,是多个重要国际学术会议系列的指导或程序委员会成员。(微电子学院、宽带隙半导体技术国家重点实验室、宽禁带半导体与微纳电子学111引智基地、国际合作与交流处)

(责任编辑:acc)
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