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InAs/GaSb超晶格红外探测器发展现状与焦点

时间:2016-12-07 12:29点击:
 
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InAs/GaSb超晶格红外探测器发展现状与焦点
讲座时间 2016-12-07 09:30:00
讲座地点 北校区西大楼III-405
讲座人 司俊杰
讲座人介绍
司俊杰,博士,研究员。毕业于中国科学院半导体所。主要从事InSb、PbS红外探测器材料和器件研究工作。现任中航工业空空导弹研究院光电器件所特级专务、中航工业红外探测器技术航空科技重点实验室副主任。主持开发多款精确制导武器用红外探测器,承担并完成多项重点国防及中航工业研究项目,获得多项中航工业及国防科技进步奖。发表及合作发表文章50余篇,申请专利20余项,培养博士后、博士及硕士研究生多名。近年,研究重点集中于InAs/GaSb二类超晶格红外焦平面探测器材料和器件研发。
讲座内容
InAs/GaSb二类超晶格红外探测器在近年来取得快速发展,所研制的器件在红外中波和长波波段已臻成熟,研究结果已从先前的来自大学的研究小组,发展成由数家公司提供,并有越来越多的参与者加入研发活动。该型器件技术发展已经和传统的、经多年发展已相当成熟的碲镉汞技术展开竞争,并有望取代传统技术。本报告回顾了国内外InAs/GaSb红外探测器的发展历史,介绍了最先进的InAs/GaSb成像焦平面探测器在长波、中波、短波红外领域探测上的发展现状,以及该型探测器在双色、双波段面阵探测上的研究进展。报告还对研究焦点进行了介绍和分析,以期有助于对InAs/GaSb红外探测器领域发展和动态的了解和掌握。
 

所属单位:物理与光电工程学院
转载出处:西安电子科技大学学术信息网
(责任编辑:学术年会)
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